Hoch on High-Quality Quartz Emitters

UHP (Ultra High Purity) Heizlampe

Sat, 18 Jul 2026 04:31:48 +0800

Warum wir auf UHP-Infrarotstrahler für die Halbleiterfertigung umsteigen
Seien wir ehrlich: Konvektionsöfen sind allmählich zu etwas Überholtem geworden. Im Bereich der Trocknung und Aushärtung von Halbleitern kommt es zu einem starken Wandel hin zu Ultraschwerreinen (UHP-)Infrarotstrahlern.
Es geht nicht nur darum, die „bleifreien und umweltfreundlichen“ Standards einzuhalten – auch wenn das hilft. Es geht vielmehr darum, wie die Wärme tatsächlich verteilt wird. Anstatt heiße Luft in den Raum zu blasen und darauf zu hoffen, dass alles funktioniert, nutzen Infrarotstrahler elektromagnetische Strahlung. Die Strahlung trifft direkt auf das Substrat.
Kein Energieverlust mehr durch das Erhitzen großer Mengen an Luft, nur um eine Wafer trocknen zu können.

Fabrikheizkörper mit hohem Deckenabstand

Thu, 09 Jul 2026 02:49:27 +0800

Zur Essenz der Wärmequelle: Leistung und Spannung
Lassen Sie uns darüber sprechen, wie wir diesen Heizkörper für hohe Räume entwickelt haben. Es handelt sich dabei nicht um einen gewöhnlichen Raumheizer – vielmehr um eine leistungsstarke Wärmequelle, die dazu dient, über große Flächen hinweg effektiv Wärme zu verteilen.

Wir haben uns für einen 2500-Watt-Heizkörper mit 400 Volt entschieden. Dadurch wird eine enorme Menge an Wärme erzeugt – doch die 400 Volt sorgen dafür, dass der Stromfluss kontrollierbar bleibt. Das bedeutet, dass man das gesamte Verkabelungssystem nicht mit überdimensionierten Kabeln umgestalten muss. Zudem bleibt die Leistung konstant, auch wenn andere Maschinen eingeschaltet oder ausgeschaltet werden. Kein Flackern, keine schwache Leistung – nur konstante, zuverlässige Wärme.

Hochepräzise Erwärmung für Wafer IR

Sun, 21 Jun 2026 06:41:49 +0800

In der Fertigungshalle ist das Erhitzen des Fotolacks keine einfache Aufwärmphase – es handelt sich dabei vielmehr um einen Prozess, bei dem die Temperatur entscheidend für die Qualität der gewonnenen Wafer ist. Eine Abweichung von 1°C beim Weich- oder Hartbrennen führt zu Unregelmäßigkeiten in der Struktur der Wafer, außerdem entstehen zusätzliche Partikel. Wir haben unser IR-Heizsystem so konstruiert, dass solche Schwankungen vermieden werden.

Was wirklich wichtig ist: Wir verwenden Kurzwellen-IR-Strahlung mit einem Quarzemitter. Die geschlossene Pyrometrie sorgt dafür, dass die Temperatur auf allen Stellen der Wafer innerhalb von ±0,1°C konstant bleibt. Die Temperatur erreicht ihren Endwert bereits nach weniger als 3 Sekunden – dadurch kann man mit hohen Durchsatzraten arbeiten, ohne auf die Erwärmungszeit warten zu müssen. Die Steuerung erfolgt mit einer Genauigkeit von 0,1°C; die Kalibrierung erfolgt anhand von Profilen, die direkt von den Wafern abgeleitet werden.