Hoog on High-Quality Quartz Emitters

UHP (Ultra High Purity) verwarmingslamp

Sat, 18 Jul 2026 04:31:48 +0800

Waarom we overstappen op UHP-infraroodverlichting voor halfgeleiderfabricage
Laten we eerlijk zijn: convectieovens begonnen steeds meer als ouderwetse oplossingen te worden beschouwd. In de wereld van het drogen en harden van halfgeleiders zie je een grote verschuiving richting Ultra High Purity (UHP)-infraroodlampen.

Het gaat niet alleen om het naleven van de regels rond ‘loodvrije en milieuvriendelijke’ producten – al helpt dat natuurlijk ook. Het gaat er vooral om hoe de hitte wordt overgedragen. In plaats van hete lucht door een ruimte te blazen in de hoop dat dit voldoende is, maken infraroodlampen gebruik van elektromagnetische straling. Hierdoor raakt de hitte rechtstreeks het te drogen materiaal.

Fabrieksradiator met hoge plafondhoogte

Thu, 09 Jul 2026 02:49:27 +0800

Naar het hart van de warmte: vermogen en spanning
Laten we het hebben over hoe we deze krachtige fabrieksradioator hebben gemaakt. Het is geen gewone ruimtemat voor verwarming. Het is een krachtige warmtebron die speciaal is ontworpen om één ding goed te doen: veel warmte leveren over een groot gebied.

We hebben gekozen voor een set met 2500W en 400V. Hierdoor wordt er veel warmte geproduceerd, maar de 400V zorgt ervoor dat de elektrische stroom onder controle blijft. Dat betekent dat je je hele systeem niet hoeft om te wisselen met te dikke kabels. Ook blijft de radioator stabiel, zelfs wanneer andere apparaten aan en uit gaan. Geen flakkeringen, geen zwakke prestaties. Gewoon consistente, betrouwbare warmte.

Hoge precisie hitte voor IR wafers

Sun, 21 Jun 2026 06:41:49 +0800

Op de productielijn is het verhitten van de fotoresist geen eenvoudig proces – het bepaalt namelijk de kwaliteit van de producten, stuk voor stuk. Een verschil van 1°C tijdens het zachte of harde verhitten heeft invloed op de nauwkeurigheid en kan leiden tot fouten in de productie. We hebben ons IR-verwarmingssysteem zo ontworpen dat deze variabelen worden weggenomen.

Wat belangrijk is, is dat we gebruikmaken van kortegolflengte-IR-straling via een kwartsemitter. Dankzij de gesloten lusmeting blijft de temperatuur op het wafer op ±0,1°C stabiel. De temperatuur bereikt binnen 3 seconden zijn gewenste niveau, zodat u kunt meekomen met hoge productiesnelheden zonder te hoeven wachten op het afkoelen van het wafer. De controle vindt plaats met een resolutie van 0,1°C, en de kalibratie is mogelijk door gebruik te maken van profielen die zijn gegenereerd op basis van de waardes van het wafer zelf.