Yüksek on High-Quality Quartz Emitters

UHP (Ultra Yüksek Saflıkta) ısıtıcı lambası

Sat, 18 Jul 2026 04:31:48 +0800

Neden yarı iletken üretiminde UHP kızılötesi lambalarını kullanıyoruz?
Dürüst olalım: Konveksiyon fırınları artık eski moda gibi görünmeye başladı. Yarı iletkenlerin kurutulması ve sertleştirilmesi konusunda ise Ultra Yüksek Saflıkta (UHP) kızılötesi lambalara doğru büyük bir geçiş yaşanıyor.
Bu durum sadece “kurşunsuz ve çevre dostu” olma ilkesini takip etmekle ilgili değil; asıl mesele ısıyun nasıl yayıldığıdır. Sıcak hava kullanmak yerine, kızılötesi lambalar elektromanyetik radyasyon kullanarak ısıyı doğrudan yüzeye iletiyor. Böylece devasa miktarda havayı ısıtmak için enerji harcamaya gerek kalmıyor.

Yüksek tavanlı fabrika radyatörü

Thu, 09 Jul 2026 02:49:27 +0800

Isının Özüne Ulaşmak: Güç ve Gerilim
Bu yüksek tavanlı fabrika radyatörünün nasıl yapıldığından bahsedelim. Bu, sıradan bir ısıtıcı değil; uzun mesafelere etkili bir şekilde ısı sağlamak için tasarlanmış, güçlü bir ısı kaynağıdır.

2500W, 400V gücünde bir sistem kullandık. Bu sayede çok fazla ısı üretiliyor, ancak 400V değeri elektrik akımını kontrol altında tutuyor. Böylece tüm tesisin kablolarını yeniden döşemenize gerek kalmıyor. Ayrıca, diğer makineler çalışıp durduğunda bile cihaz sabit kalıyor; herhangi bir dalgalanma veya zayıf performans yaşanmıyor. Sadece tutarlı ve güvenilir bir ısı elde ediliyor.

Wafer IR için yüksek hassasiyetli ısıtma

Sun, 21 Jun 2026 06:41:49 +0800

Üretim alanında, fotoğraf direncinin ısıtılması sadece hafif bir ısınma işlemi değildir; bu işlem, her bir wafer için verimi belirleyen önemli bir faktördür. Yumuşak veya sert ısıtma işlemlerinde meydana gelen 1°C’lik değişiklikler, CD değerlerini etkiler, yüzeyde lekelere neden olur ve parçacık sayısını olumsuz yönde değiştirir. Bu tür değişkenlikleri ortadan kaldırmak için waferlerimizi ısıtmak için özel bir IR ısıtma sistemi kullanıyoruz.

İşte asıl önemli olan noktalar: Kuarz emisyon penceresi kullanarak kısa dalga boyundaki IR ışığı kullanıyoruz. Kapalı döngülü termometri sayesinde waferlerin sıcaklığı ±0,1°C aralığında sabit kalır. Sıcaklık 3 saniye içinde istenen seviyeye ulaşır; böylece yüksek hızlı litografi işlemlerinde bekleme süreleri olmadan işlem yapılabilir. Kontrol hassasiyeti 0,1°C’dür ve çok noktalı kalibrasyon sayesinde waferlerin özellikleri doğru şekilde ölçülebilir.