Hentikan amalan memanaskan komponen menggunakan cara biasa: Cara yang lebih baik untuk memanaskan wafer
Ketika memanaskan wafer, apa yang anda inginkan ialah tenaga haba yang sampai ke permukaan wafer itu sendiri. Anda tidak mahu tenaga haba tersebut sampai ke dinding mesin.
Masalahnya ialah lampu IR biasa mengeluarkan haba ke semua arah, iaitu 360 darjah. Dalam bilik semikonduktor yang sempit, ini akan menyebabkan masalah besar. Dinding dalaman bilik tersebut akan menjadi “span” yang menyerap haba, lalu menciptakan kawasan panas yang boleh merosakkan komponen tersebut atau bahkan membahayakan orang yang menyentuhnya.
Membuat fokus pada haba
Inilah kelebihan penggunaan lampu IR yang berarah. Daripada menggunakan tiub kuarsa biasa, kita menggunakan reflektor dan lapisan khas untuk memfokuskan tenaga haba ke arah wafer. Dengan cara ini, tenaga haba dapat disalurkan secara efektif ke permukaan wafer. Hasilnya, wafer akan mencapai suhu yang diinginkan, sementara bahagian luar mesin tetap sejuk sehingga boleh disentuh.
Jarak yang ideal
Menentukan jarak antara lampu dan wafer merupakan hal yang penting. Jika lampu dipasang terlalu dekat, akan timbul masalah “titik panas” pada permukaan wafer. Namun, jika lampu dipasang terlalu jauh, intensiti haba yang dihasilkan akan berkurangan, sehingga suhu wafer tidak dapat naik dengan cepat.
Kita biasanya menentukan jarak yang ideal dengan melihat kuasa lampu serta gradien suhu yang diinginkan. Kita memerlukan ruang yang cukup agar radiasi haba dapat tersebar secara merata di seluruh permukaan wafer.
Kelemahan
Ini bukanlah penyelesaian ajaib. Ada beberapa kelemahan. Kerana tenaga haba difokuskan ke satu titik, kepadatan haba di titik tersebut sangat tinggi. Jika pengawal suhu PID tidak dikonfigurasikan dengan betul, suhu wafer akan melebihi nilai yang ditetapkan.
Selain itu, reflektor perlu sentiasa bersih. Sedikit habuk atau sisa bahan kimia pun boleh mengganggu pancaran haba. Jika ini berlaku, masalah “titik panas” akan kembali lagi.